DMN3150LW-7 与 BSS214NW H6327 区别
| 型号 | DMN3150LW-7 | BSS214NW H6327 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMN3150LW-7 | A-BSS214NW H6327 |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 1.3 mm | - |
| 上升时间 | - | 7.8ns |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | - | 800pC |
| 栅极电压Vgs | ±12V | ±12V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 4S |
| 封装/外壳 | SOT-323 | SOT-323 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 1.6A | 1.5A |
| 配置 | Single | - |
| 长度 | 2.15 mm | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | - |
| 下降时间 | - | 1.4ns |
| 导通电阻Rds(On) | 88mΩ@1.6A,4.5V | 140mΩ@1.5A,4.5V |
| 高度 | 1 mm | - |
| 功率耗散Pd | 350mW(Ta) | 500mW |
| 漏源极电压Vds | 28V | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 6.8ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | DMN | BSS214 |
| 通道数量 | 1 Channel | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 305pF @ 5V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 4.1ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN3150LW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 350mW(Ta) 88mΩ@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 N-Channel 28V 1.6A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSS214NW H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 1.5A 140mΩ@1.5A,4.5V ±12V 500mW N-Channel -55°C~150°C SOT-323 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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